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预测Si,C,S+和Si,C,S-体系的稳定异构体

     

摘要

采用DFT,QCISD及CCSD(T)方法分别对二重态的[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系势能面进行理论计算,用QCISD/6-311+G(d)方法,在[Si,C,S]+和[Si,C,S]-体系中,我们分别得到了2个过渡态连接的3个稳定体和2个过渡态连接的4个稳定体,经热力学及动力学分析发现,[Si,C,S]+上体系只有二重态线性的离子[Si-C-S]+可能稳定存在,而[Si,C,S]-体系有二重态线性的离子[Si-C-S]-和三元环c-[SiCS]-可能稳定存在.

著录项

  • 来源
    《化学学报》|2008年第14期|1637-1640|共4页
  • 作者单位

    吉林大学理论化学研究所,理论化学计算国家重点实验室,长春,130023;

    吉林大学理论化学研究所,理论化学计算国家重点实验室,长春,130023;

    吉林大学理论化学研究所,理论化学计算国家重点实验室,长春,130023;

    吉林大学理论化学研究所,理论化学计算国家重点实验室,长春,130023;

  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 化学;
  • 关键词

    理论研究; Si,C,S+; Si,C,S-; 异构体; 势能面;

  • 入库时间 2022-08-18 14:31:20

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