首页> 中文期刊>化学学报 >不同疏水基表面活性剂溶剂化的电子结构特征

不同疏水基表面活性剂溶剂化的电子结构特征

     

摘要

用从头算法RHF/6-31G*和Onsager溶剂模型分别优化了不同疏水端基表面活性剂阴离子溶剂化前后的几何构型,得到气态和溶剂化的总能量、电荷分布、偶极矩、极化能等.比较了它们溶剂化前后的构型变化和电子结构特征.在RHF/6-31G*平台上探讨了不同疏水端基影响阴离子表面活性剂表面张力的内在原因.

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号