二元硅氧环与GFn(n=1～3)自由基反应的理论研究

摘要

用密度泛函理论在UB3LYP/6-31G(d)水平上研究了二元硅氧环与CFn(n=1～3)自由基的反应,弄清了微观反应机理,计算了反应的活化能和反应热.计算结果表明反应按两类相互竞争的机理进行:一类是不涉及C-F键断裂的反应,另一类是Si-O和C-F键同时断裂的反应.CF2自由基与二元硅氧环反应所需活化能最小、驱动力最大,是Si-O键最有效的刻蚀剂,与实验结果一致.