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郭彩红; 贾建峰; 武海顺;
山西师范大学化学与材料科学学院,临汾,041004;
密度泛函理论; (GaP)n和(GaP)n-团簇; 垂直电离能; 绝热电子亲合势;
机译:GaP n sub>(2≤n≤12)团簇的结构和电子性质的密度泛函研究
机译:(GaP)(n)(-)(n = 7-9)团簇的结构,电子态和光电子能谱的密度泛函理论研究
机译:GaPX-(X = C,Si,Ge; O,S; P and Ga)团簇的结构,稳定性和光电子能谱
机译:气体团簇离子束对GaAs和GaP的高速率蚀刻
机译:GaP和GaAsP上的应变平衡InGaP / InGaP多量子阱电吸收调制器。
机译:探究铍掺杂硼团簇的结构和电子性质:金属硼烷的平面BeB16-团簇基序
机译:三嗪团簇中双齿膦配体异构化反应的实验和计算研究:团簇中翘曲异构体和X射线结构的重排动力学Os3(CO)10(dppbz),1,1-Os3(CO) 10(dppbzF4),HOs3(CO)9 [μ-1,2-php(C6H4-ɳ1)C6H4pph2]和HOs3(CO)9- [μ-1,2-php(C6H4-ɳ1)C6F4pph2]
机译:(me3CCH2)2(Cl)Ga.p(sime3)3,R2Gap(sime3)2GaR2Cl(R = me3CCH2和me3siCH2)和((R)的烷基,镓 - 磷化合物,X射线晶体结构的合成和结构表征(X)Gap(sime3)2)2(R = me3CCH2,X = Cl; R = me3CCH2,X = me3CCH2; R = me3siC)
机译:SPARK GAPS具有多个串联的单个SPARK GAPS,它们位于堆栈的位置
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