高功率1.55μm半导体激光器

摘要

1.55μm半导体激光器有很多突出的优点, 但普通的双异质结激光器功率小, 且对温度很敏感.本文将大光腔结构形式引入1.55μm GaInAsP/ InP半导体激光器中,用液相外延技术研制成功了脉冲峰值功率超过2W的1.55μm GaInAsP/ InP 半导体激光器.普通双异质结构激光器特征温度T0为50～70K[1];而本文研制的大光腔结构为100～140K.激光器的寿命超过1 000h.