Carnegie Mellon University;
Gallium indium arsenide; Indium gallium nitride; Indium phosphide; Quantum well; Semiconductor alloys III-V; Strained-layer epitaxy; Surface roughening;
机译:通过扫描电化学显微镜研究III-V半导体的尖端基板距离蚀刻方法
机译:从头算理论与III-V半导体(110)表面的扫描隧道显微镜的比较
机译:碳纳米管尖端探针:扫描探针显微镜的稳定性和横向分辨率及其在半导体表面科学中的应用
机译:基于扫描探针显微镜的III-V型半导体量子阱器件表征
机译:烷烃硫醇自组装单分子层,反应性自组装单分子层,扁平金纳米颗粒/铟锡氧化物基质的生长介质和温度依赖性结构相的扫描隧道显微镜研究,以及互补金属氧化物中局部机械应力表征的扫描表面光电压显微镜研究半导体器件。
机译:在扫描电化学显微镜下使用安培和电位探针在铝合金2098-T351上的严重局部腐蚀点的空间分辨监测
机译:低温扫描隧道显微镜研究重掺杂的III-V族半导体
机译:III-V半导体的扫描隧道显微镜