University of California San Diego.;
机译:具有原子层沉积(ALD)HfAlO高k电介质的AlGaN / GaN功率器件的高温器件传输性能和关态特性的改善
机译:用于按比例缩放的金属氧化物半导体器件的高k电介质堆栈的低温原子层沉积
机译:脉冲激光沉积在低温下制备的YSZ高k薄膜的介电性能
机译:通过循环沉积和退火优化ALD HfO_2高k栅介电常数的方法学
机译:使用基于臭氧的ALD(原子层沉积)的高K电介质沉积(氧化铝),用于石墨烯基器件。
机译:原子层沉积悬浮单壁碳纳米管的保形高K介电涂层
机译:室温下高k Ba(Fe 3/2 Nb 3/2)陶瓷中的巨大低频介电可调谐性