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【24h】

Modeling the Effects of Ion Strike Displacement Damage on the 3D Reciprocal Space of Silicon

机译:建模离子撞击位移损伤对硅的3D互易空间的影响

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著录项

  • 作者

    Franco, Manuel Uriel;

  • 作者单位

    Rensselaer Polytechnic Institute;

  • 授予单位 Rensselaer Polytechnic Institute;
  • 学科
  • 学位 M.S.
  • 年度 2017
  • 页码 46 p.
  • 总页数 46
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

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