State University of New York at Albany.;
机译:TI缓冲层厚度对氧化铪电阻切换存储器电阻切换性能的作用
机译:过复位能量引起的自互补电阻开关对基于氧化oxide的电阻型随机存取存储器的存储可靠性的影响
机译:通过低温超临界氧化处理改善氧化铪电阻存储器性能
机译:铜对基于氧化f的电阻式存储器开关特性的影响
机译:从材料开发工程到新型加密和神经形态应用的电阻式随机存取存储器。
机译:用原位透射电镜研究由氧化钨和铜构成的电阻型随机存取存储器的开关操作和性能下降
机译:电阻切换:无成型晶界工程化铪氧化物电阻随机存取存储器装置(ADV。电子。Matter。10/2019)
机译:用于高级加密标准(aEs)加密的互补金属氧化物硅(CmOs)-memristor混合纳米电子学。