Clemson University.;
机译:基原子层沉积(ALD)和电子束蒸发(EBE)沉积的Al_2O_3薄膜的组合物在快速热处理时
机译:栅介质用CeO_2薄膜的制备和电学表征:化学气相沉积与原子层沉积工艺的比较研究
机译:使用通过原子层沉积(ALD)制备的Al_2O_3栅极电介质的高性能并五苯场效应晶体管
机译:高k HfAlO栅极介电层的原子层沉积(ALD)功能增强了AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)的性能
机译:基于传感器的原子层沉积,可快速学习过程并增强可制造性。
机译:通过批量原子层沉积处理的基于HfO2的集成式1晶体管1电阻阻性随机存取存储器的材料见解
机译:基于HFO2的集成1晶体管-1电阻器电阻随机存取存储器的材料见解,由批量原子层沉积处理
机译:原子层沉积(aLD) - 沉积二氧化钛(TiO2)厚度对Zr40Cu35al15Ni10(ZCaN)/ TiO2 /铟(In)基电阻随机存取存储器(RRam)结构性能的影响。