University of South Carolina.;
机译:识别碳化硅pn结中的性能极限缺陷:一项理论研究
机译:限制碳化硅晶片中微管缺陷的性能
机译:碳化硅器件缺陷分析新技术:电检测电子核双共振
机译:三角形缺陷限制4H碳化硅高功率结屏障肖特基装置的反向阻塞性能
机译:扩展缺陷的特征及其对4H碳化硅装置性能的影响。
机译:氢等离子体处理非晶碳化硅基体减少硅量子点超晶格结构缺陷的研究
机译:碳化硅二极管的性能表征以及与硅器件的比较
机译:碳化硅二极管的性能表征和与硅器件的比较