University of Glasgow (United Kingdom).;
机译:采用SiCl_4化学工艺的干法刻蚀质量高的Ga_xGd_yO_z栅极氧化物,可在制造III-V MOSFET时实现低电阻欧姆接触
机译:SiC二极管,功率MOSFET和智能功率模块的开发
机译:在硅加工环境中制造III-V器件时的交叉污染风险评估
机译:开发与硅ULSI制造兼容的III-V MOSFET工艺模块
机译:III-V和2D器件:从MOSFET到陡坡晶体管
机译:基于微流体纸质分析设备(µPADs)开发中制造参数的实验分析
机译:用于后硅CMOS的平面高K / III-V p沟道MOSFET的开发
机译:光束辅助制造III-V / si单片器件。