声明
摘要
第1章 绪论
1.1 课题背景及研究的目的和意义
1.2 国内外研究现状
1.2.1 IGBT封装形式
1.2.2 IGBT多物理场耦合模型研究
1.2.3 小结
1.3 本文的主要研究内容
2.1 引言
2.2 结构场模型的建立
2.2.1 结构力学理论
2.2.2 器件的应用工况
2.2.3 结构场有限元分析模型
2.2.4 各因素对压力分布的影响
2.3 实验验证
2.4 本章小结
第3章 压接型IGBT器件结构场与温度场的耦合
3.1 引言
3.2 数学描述
3.2.1 微接触热导
3.2.2 空隙接触热导
3.3 接触热阻的数值计算
3.3.1 有限元模型
3.3.2 结果分析
3.4 接触热阻的实验测量
3.4.1 间接热电偶法
3.4.2 结构函数法
3.5 本章小结
第4章 单个子模组多物理场耦合模型
4.1 引言
4.2 电热耦合分析模型
4.2.1 功率损耗模型
4.2.2 Cauer热网络模型
4.3 电-热-力多物理场直接双向耦合分析模型
4.3.1 电-热-力多物理场场路耦合模型
4.3.2 电-热-力多物理场三维耦合模型
4.4 实验验证
4.4.1 热电偶法
4.4.2 瞬态双界面法
4.5 本章小结
第5章 压接型IGBT器件多物理场三维耦合模型
5.1 引言
5.2 电-热-力多物理场三维耦合模型
5.2.1 耦合变量
5.2.2 边界条件
5.3 器件内部多物理量的分析
5.3.1 有限元结果分析
5.3.2 压力分布测试
5.3.3 优化方案
5.4 本章小结
第6章 压接型IGBT器件多物理场场路耦合模型
6.1 引言
6.2 建模方法
6.2.1 应用工况
6.2.2 建模思路
6.3 电-热-力多物理场场路耦合模型
6.3.1 一维电热耦合电路模型
6.3.2 电-热-力多物理场场路耦合模型
6.4 有限元结果分析
6.4.1 常规工况
6.4.2 极端工况
6.5 本章小结
第7章 结论与展望
参考文献
攻读博士学位期间发表的论文及其它成果
攻读博士学位期间参加的科研工作
致谢
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