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摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 氧化物半导体简介
1.2.1 氧化物半导体的种类
1.2.2 氧化物半导体纳米材料的主要特性及应用
1.2.3 氧化物半导体纳米材料的研究现状
1.3 纳米SnO2的研究概况
1.3.1 纳米SnO2的制备方法
1.3.2 纳米结构SnO2的应用
1.4 纳米ZnO的研究概况
1.4.1 纳米结构ZnO的制备方法
1.4.2 纳米ZnO的应用
1.5 本论文的设想
第二章 SnO2纳米带的制备与性能测试
2.1 前言
2.2 实验部分
2.2.1 实验材料
2.2.2 实验设备与操作步骤
2.2.3 仪器表征
2.3 结果与讨论
2.3.1 SnO2纳米带的形貌表征
2.3.2 SnO2纳来带的结构表征
2.2.3 SnO2纳米带的组成表征
2.3.3 SnO2纳米带的生长机理
2.4 SnO2纳米带的性能测试
2.4.1 SnO2纳米带的气敏性能测试
2.4.2 SnO2纳米带的光电性能测试
2.4.3 SnO2纳米带的光催化性能测试
2.4.4 SnO2纳米带锂电负极性能测试
2.5 小结
第三章 电化学沉积制备SnO2纳晶薄膜
3.1 前言
3.2 实验部分
3.2.1 实验材料
3.2.2 实验步骤
3.2.3 仪器表征
3.3 结果与讨论
3.3.1 丁基罗丹明B的性质
3.3.2 SnCl2浓度的影响
3.3.3 沉积电压的影响
3.3.4 旋转圆盘电极转速的影响
3.3.5 丁基罗丹明B浓度的影响
3.4 小结
第四章 电化学沉积制备ZnO纳晶薄膜
4.1 前言
4.2 实验部分
4.2.1实验材料
4.2.2 实验步骤
4.2.3 仪器表征
4.3 结果与讨论
4.3.1 曙红的性质及其影响
4.3.2 沉积电压的影响
4.3.3 光电测试及IPCE测试
4.4 小结
第五章 结论
参考文献
致谢
硕士学位期间所发表的论文
作者和导师简介
北京化工大学硕士研究生学位论文答辩委员会决议书