声明
摘要
第一章 绪论
1.1 引言
1.2 CdZnTe薄膜的制备
1.2.1 真空蒸发法
1.2.2 近空间升华法
1.2.3 磁控溅射法
1.3 碲锌镉探测器
1.3.1 CdZnTe的性质
1.3.2 CdZnTe探测器的工作原理
1.3.3 CdZnTe探测器的结构
1.3.4 国内外研究现状及应用
1.4 本课题的研究内容
1.4.1 研究目的
1.4.2 研究步骤
1.4.3 创新之处
第二章 CdZnTe多晶薄膜的制备及其性能表征
2.1 实验材料及设备
2.2 工艺参数的设计
2.3 溅射功率对薄膜的影响
2.4 溅射气压对薄膜的影响
2.5 溅射时间变化对薄膜的影响
2.6 本章小结
第三章 CdZnTe非晶薄膜的制备及其性能表征
3.1 非晶态半导体薄膜
3.1.1 非晶态半导体
3.1.2 非晶态半导体的导电机理
3.1.3 非晶态半导体薄膜
3.2 非晶CdZnTe工艺参数设计
3.3 工艺参数对薄膜的影响
3.3.1 结构与成分分析
3.3.2 表面形貌分析
3.3.3 光学性能分析
3.3.4 拉曼光谱分析
3.3.5 电学性能分析
3.4 小结
第四章 CdZnTe厚膜的制备
4.1 CdZnTe厚膜的制备工艺
4.2 厚膜的测试分析
4.2.1 厚膜的结构与成分分析
4.2.2 厚膜的表面形貌分析
4.2.3 紫外光谱分析
4.2.4 厚度及溅射速率分析
4.2.5 厚膜的I-V曲线分析
4.3 本章小结
第五章 结论
参考文献
致谢
研究成果及发表的学术论文
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