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声明
第1章绪论
1.1电子背散射衍射(EBSD)技术概述
1.1.1 EBSD测试原理及发展概况
1.1.2 EBSD应力/应变测试原理
1.2本课题研究内容
第2章测试方法及测试样品
2.1测试设备
2.1.1 EBSD测试系统及测试参数
2.1.2扫描近场声成像显微镜(SNAM)及扫描热成像显微镜(SThM)
2.2测试样品
2.2.1单晶外延材料
2.2.2多晶材料
2.3本章小结
第3章单晶系统微区应力/应变的EBSD分析
3.1 GaN/蓝宝石的微区应力分析
3.1.1 EBSD分析
3.1.2扫描近场声成像和扫描热成像分析
3.2 GaAs/AlGaInP结构的EBSD分析
3.3 GaAs/AlGaAs结构的EBSD分析
3.4 GaAs/GaN键合晶体的界面热应力分析
3.4.1 GaAs/GaN键合界面的EBSD分析
3.4.2 GaAs/GaN界面热应力的有限元模拟
3.5本章小节
第4章应变镍钨合金基带的EBSD分析
4.1 NiW基带的应力/应变测试
4.2 Ni-W基带的准原位应变的EBSD分析
4.3本章小节
第5章EBSD应力/应变测量的评价
5.1 EBSD测试样品的制备和测试参数统计
5.2 EBSD系统的分辨率
5.3EBSD测试系统的应变敏感性
5.4本章小节
结论
参考文献
攻读硕士学位期间发表的学术论文
致谢
附图