声明
第一章 绪论
1.1 半导体的发展概括
1.2 磷化铟的性质
1.3 磷化铟单晶的生长方法
1.4 数值模拟在晶体生长中的应用
1.5 磁场在晶体生长工艺中的应用
1.6 本文研究目的和主要内容
1.7 本章小结
第二章 VGF法生长InP单晶的数学物理模型
2.1 InP单晶生长装置及基本原理
2.2 数学物理模型的建立
2.3 传热方程
2.4 流体流动的控制方程
2.5 磁场的控制方程
2.6 常见的数值求解方法
2.7 数值模拟计算步骤
2.8 模型参数
2.9 本章小结
第三章 晶体直径对熔区温度场及流场的影响
3.1 籽晶法中温度场的建立
3.2 晶体直径对熔区内温度场和流场的影响
3.3 本章小结
第四章 加热器温度对熔区内温度场及流场的影响
4.1 前言
4.2 加热器温度的确定
4.3 籽晶阶段熔区内的温度场及流场的变化规律
4.4 放肩阶段熔区内的温度场及流场的变化规律
4.5 等径阶段熔区内的温度场及流场的变化规律
4.6 本章小结
第五章 旋转磁场对熔区内流场的影响
5.1 引言
5.2 弱旋转磁场对熔区内流场的影响
5.3 强旋转磁场对熔区内流场的影响
5.4 本章小结
第六章 结论与展望
6.1总结
6.2展望
参考文献
发表论文和参加科研情况
致谢
天津工业大学;
