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第一章绪论
1.1引言
1.2 ZnO材料概述
1.2.1 ZnO晶体结构
1.2.2 ZnO电学性质
1.2.3 ZnO光学性质
1.3 ZnO缺陷和掺杂
1.3.1 ZnO本征缺陷
1.3.2 ZnO的掺杂
1.4正电子湮没技术对ZnO材料的研究进展
1.5论文结构
第二章正电子湮没谱学研究方法
2.1正电子湮没谱学基础
2.1.1正电子的性质
2.1.2正电子在物质中的动力学过程
2.2正电子湮没实验技术
2.2.1正电子湮没寿命谱测量
2.2.2正电子湮没多普勒展宽谱测量
2.2.3正电子湮没辐射角关联测量
2.2.4慢正电子束流技术
第三章同质缓冲层生长ZnO/Si薄膜的研究
3.1引言
3.2实验
3.2.1样品制备
3.2.2实验测量
3.3结果与讨论
3.3.1 X射线衍射谱测量
3.3.2慢正电子湮没能谱分析
3.3.3室温光致发光谱测试
3.3.4分析与讨论
3.3.5Si(100)和Si(111)衬底的比较
3.4小结
第四章退火对N掺杂ZnO/Si薄膜的影响
4.1引言
4.2实验
4.2.1样品制备
4.2.2实验测量
4.3结果与讨论
4.3.1 X射线衍射谱测量
4.3.2慢正电子湮没能谱分析
4.3.3拉曼散射谱测量
4.3.4室温光致发光谱测试
4.3.5分析与讨论
4.4小结
第五章全文总结
参考文献
攻读学位期间发表的学术论文与取得的研究成果
致谢