声明
摘要
附图说明
附表
1绪论
1.1紫外光电探测器
1.2紫外光电探测器的性能参数和结构类型
1.2.1性能参数
1.2.2器件结构类型
1.3二维过渡金属硫族化合物(TMDs)
1.4二维TMDs薄膜的制备方法
1.4.1机械剥离法
1.4.2超声液相剥离法
1.4.3离子插层液相剥离法
1.4.4化学气相沉积法(CVD)
1.5基于二维TMDs混合维度光电探测器
1.6本论文的研究思路与研究内容
2WS2/GaN异质结紫外光电探测器
2.1引言
2.2二维WS2薄膜
2.2.1二维WS2薄膜的结构与性质
2.2.2二维WS2薄膜的制备
2.2.3二维WS2薄膜的表征
2.3WS2/GaN异质结紫外光电探测器的制备
2.4WS2/GaN异质结紫外光电探测器的性能研究
2.5本章小结
3Gr/PtSe2/β-Ga2O3肖特基结紫外光电探测器
3.1引言
3.2二维PtSe2薄膜
3.2.1二维PtSe2薄膜的结构与性质
3.2.2二维PtSe2薄膜的制备
3.2.3二维PtSe2薄膜的表征
3.3Gr/PtSe2/β-Ga2O3肖特基结紫外光电探测器的制备
3.4Gr/PtSe2/β-Ga2O3肖特基结紫外光电探测器的性能研究
3.5本章小结
4总结与展望
4.1总结
4.2展望
参考文献
个人简历及研究生期间成果
致谢
郑州大学;