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韩帅成;
兰州大学;
机译:基于过渡金属二卤化物和磷化硼的二维材料基异质结构的电子和光学性质的第一性原理研究
机译:V族-IV族-异质双层结构的电子结构:第一性原理研究
机译:逆霍斯勒合金Ti_2FeAl / GaAs(100)异质结的结构,磁性和电子性质的第一性原理研究
机译:Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物的表面能和功函数的第一性原理研究
机译:第一性原理研究声子在二维材料中的传输以及声子在硅化镁/锡化镁界面上的传输。
机译:用第一性原理研究BiOI /金红石-TiO2异质结的结构电学和光学性质
机译:Wse2纳米管异质结的传输特性:第一性原理研究
机译:II-VI异质结的光电性质。 1978年3月1日至1979年2月28日第3号进展报告
机译:获得由属于周期表的V,VI和VII族的原子组成的半导体晶体中形成的异质结的方法以及异质结
机译:二维材料异质结可饱和吸收镜及其制备方法
机译:制造异质结鳍片结构的方法,具有异质结鳍片结构的半导体器件,基于异质结鳍片结构的制造Fin-HFET的方法以及基于异质结鳍片结构的fin-HFET
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