90GHz以上氮化镓功率器件关键技术研究

目录

声明

缩略语对照表

第一章 绪 论

1.1 研究背景

1.2 国外发展现状

1.3 国内发展现状

1.4 研究意义与研究工作安排

第二章 高频氮化镓功率器件原理及优化设计

2.1 氮化镓HEMT器件基本原理

2.2 氮化镓功率器件性能影响因素与物理仿真模型

2.3 AlGaN/GaN HEMT高频功率器件仿真

2.4 新型InAlN/GaN HEMT高频功率器件仿真

2.5 本章小结

第三章 氮化镓材料外延与高频器件关键工艺研究

3.1 氮化镓异质结材料外延制备研究

3.2 氮化镓高频功率器件关键工艺研究

3.3本章小结

第四章 氮化镓高频HEMT功率器件研制

4.1 高频AlGaN/GaN HEMT研制

4.2 超高fmax新型InAlN/GaN HEMT研制

4.3 超高fT 新型InAlN/GaN HEMT研制

4.4本章小结

第五章 90-96 GHz氮化镓MMIC功率放大器研制

5.1 AlGaN/GaN高频器件模型研究

5.2 90-96 GHz氮化镓MMIC功率放大器设计与制备

5.3 90-96 GHz氮化镓MMIC功率放大器测试

5.4 本章小结

第六章 总结与展望

6.1总结

6.2 展望

致谢

参考文献

攻读博士学位期间的主要研究成果（2015年至2019年）