氮化镓功率器件栅驱动芯片关键技术研究

目录

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第一章 绪论

1.1 课题研究背景

1.2 氮化镓功率器件栅驱动芯片技术研究现状与发展

1.3 主要研究内容

第二章 低延时瞬态噪声抑制技术研究

2.1 瞬态dVs/dt噪声产生机理

2.2 高压瞬态噪声干扰驱动芯片的工作机理

2.3 传统瞬时噪声抑制技术

2.4 新型低延时双重互锁瞬态噪声抑制技术

2.5 本章小结

第三章 氮化镓功率器件栅极过压保护技术研究

3.1 氮化镓功率器件栅极击穿特性

3.2 栅极过压的形成机理

3.3 传统电压钳位保护技术

3.4 新型双电平自举栅极钳位保护技术

3.5 本章小结

第四章 防直通自适应死区技术研究

4.1 氮化镓功率器件反向导通特性

4.2 氮化镓功率器件续流状态形成机理

4.3 传统自适应死区技术

4.4 新型阶梯式自适应死区技术

4.5 本章小结

第五章 氮化镓功率器件专用驱动芯片设计与测试分析

5.1 氮化镓功率器件驱动芯片整体架构

5.2 接口电路与保护电路设计

5.3 新型高调谐线性度张弛振荡器

5.4 版图设计

5.5 测试分析

5.6 本章小结

第六章 总结与展望

6.1 总结

6.2 展望

致谢

参考文献

博士期间的研究成果