基于TaOx阻变存储器的性能及其神经突触的研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1引言

1.2新型非易失性存储器

1.2.1铁电存储器

1.2.2磁阻存储器

1.2.3相变存储器

1.2.4阻变存储器

1.3模拟神经突触的研究

1.3.1突触

1.3.2阻变器件模拟突触的进展

1.4柔性神经突触器件发展现状

1.5研究内容及研究意义

第二章 阻变存储器的制备工艺及表征技术

2.1阻变存储器的制备工艺

2.2薄膜表征设备

2.2.1椭圆偏振光谱仪

2.2.2 X射线光电子能谱分析仪(XPS)

2.2.3扫描电子显微镜(SEM)

2.3电学性能测试设备

第三章 基于氧化钽薄膜阻变存储器的性能优化

3.1基于氧化钽薄膜阻变存储器的性能优化

3.1.1不同TiOx薄膜氧分压对于器件性能的影响

3.1.2不同TiOx厚度对于器件性能的影响

3.1.3不同TaOx氧分压及不同下电极对于器件性能的影响

3.2 EF-free形成原因分析

3.3本章小结

第四章基于氧化钽阻变存储器模拟神经突触的研究

4.1器件电导状态连续调节

4.1.1 直流下获得连续电导状态

4.1.2 脉冲下获得连续电导状态

4.1.3不同TiOx厚度对脉冲下连续电导状态的影响

4.1.4 EF过程对脉冲下连续电导状态的影响

4.2突触可塑性的模拟

4.2.1从短时程记忆到长时程记忆的转变

4.2.2双脉冲易化的模拟

4.2.3脉冲时间依赖可塑性的模拟

4.3柔性神经突触的研究

4.3.1不同弯曲半径对连续电导状态的影响

4.3.2弯曲状态下的突触可塑性模拟

4.4本章小结

第五章总结与展望

参考文献

在学期间取得的科研成果和科研情况说明

致谢