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第三章无片外电容型LDO的分析与设计
3.2.1 电压基准电路
致谢
苗俊杰;
西安电子科技大学;
机译:高电源抑制和稳定时间短的无电容LDO
机译:具有高频PSR的无电容LDO,适用于各种片上电容性负载
机译:采用环路增益稳定技术的外部无电容超低压降稳压器,可在较宽的负载电流范围内实现高电源抑制
机译:具有UGCC补偿的低静态电流,片外无电容LDO稳压器
机译:用于多层印刷电路板设计中抑制电源总线噪声的嵌入式电容的实验和数值评估。
机译:快速简便的细胞外囊泡检测具有表面功能的无电源微芯片向护理点发展诊断程序
机译:基于高摆率电流模式跨导放大器的输出电容无CmOs CmOs LDO稳压器
机译:用于重复脉冲功率的高功率密度电容器充电电源开发
机译:(无电容器)(低压差)调节器和/或开关模式电源的增强型电源抑制。
机译:用于高速微控制器的片上NMOS无电容LDO
机译:具有高电源抑制比的PSRR LDO数字控制低压降稳压器
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