二维In2Se3基异质结的构建及其光电性能研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 课题的研究背景及意义

1.2 二维层状半导体在光电探测中的应用

1.2.1过渡金属硫化物

1.2.2氮化硼

1.2.3 Ⅲ-Ⅵ族化合物

1.3 In2Se3简介及研究进展

1.3.1制备方法

1.3.2应用研究

1.4 本文的选题思路、研究内容与创新点

1.4.1选题思路

1.4.2研究内容

1.4.3创新点

第二章 In2Se3的制备及其光电特性的研究

2.1 引言

2.2 实验部分

2.2.1 实验试剂与仪器

2.2.2 不同形貌的In2Se3纳米结构的制备

2.2.3 光电性能测试

2.3 结果与讨论

2.3.1 In2Se3的结构和形貌

2.3.3 In2Se3的光电性能研究

2.4 本章小结

第三章In2Se3/ZnO 异质结光电探测性能的研究

3.1 引言

3.2 实验部分

3.2.1 ZnO纳米棒阵列的制备

3.2.2 ZnO/In2Se3异质结的制备

3.2.3 光电性能测试

3.3 结果与讨论

3.3.1 ZnO阵列的基本表征和光电性能

3.3.2 In2Se3/ZnO 异质结的结构和光学性质

3.3.3 In2Se3/ZnO异质结光电特性的研究

3.4 本章小结

第四章In2Se3/Si垂直结构光电探测器

4.1 引言

4.2 实验部分

4.2.1 In2Se3/Si 复合光电探测器的制备

4.2.2 光电流响应测试

4.2.3 瞬态光谱响应测试

4.3 结果与讨论

4.3.1 In2Se3/Si 异质结的结构与形貌

4.3.2 In2Se3/Si 异质结探测器的光电性能

4.4 本章小结

第五章In2Se3/Se/Si三元复合体系构筑及其光电探测性能的研究

5.1 引言

5.2 实验部分

5.2.1 Se/Si 复合结构的制备

5.2.2 In2Se3/Se/Si三元复合结构的制备

5.2.3 光电流响应测试

5.3 结果与讨论

5.3.1 Se/Si 异质结的基本表征和性能测试

5.3.2 In2Se3/Se/Si 三元复合结构的基本表征和性能测试

5.4 本章小结

第六章总结和展望

6.1 总结

6.2 展望

参考文献

致谢

攻读硕士学位期间取得的科研成果