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朱冠宇;
南京邮电大学;
机译:S波段170W / 70%部分匹配的GaN HEMT高效大功率放大器:通过谐波处理实现GaN-on-Si器件的高效率
机译:基于FPGA的W-CDMA 3GPP高效功率放大器的基于基于FPGA的基带预失真:GAN HEMT和SI LDMOS预失真PA表演比较
机译:基于粒子的功率放大器应用毫米波GaN器件可靠性建模
机译:基于GaN超表面的高效可见光透射偏振器件
机译:基于GaN的微波应用的功率放大器(用于微波应用的GaN的功率放大器)
机译:用于提高GaN HEmT高功率放大器效率的材料物理和器件开发
机译:在硅衬底上生长GaN晶体的方法,制造基于GaN的发光器件的方法和基于GaN的发光器件
机译:GaN单晶衬底,制造相同方法的,基于GaN的半导体器件以及制造半导体器件的方法
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