CMOS晶体管大信号建模技术研究

目录

声明

第一章 绪论

1.1 MOSFET建模的研究背景与意义

1.2 MOSFET器件模型分类

1.3 MOSFET集约模型发展历史

1.4 论文主要研究内容及梗概

第二章 MOSFET建模及相关基础知识

2.1 MOSFET器件物理基础

2.2 MOSFET的基本物理效应及寄生效应

2.2.1 体效应

2.2.2 沟道长度调制效应

2.2.3 短沟道效应

2.2.4 频率色散效应

2.3 BSIM4模型简介

2.3.1 BSIM4的工艺参数

2.3.2 阈值电压模型

2.3.3 漏电流模型

2.3.4 电容模型

2.3.5 栅隧穿电流模型

2.4 毫米波在片测试系统

2.5 MOSFET器件建模流程

2.6 本章小结

第三章 MOSFET小信号等效电路建模研究

3.1 晶体管去嵌入方法

3.1.1去嵌方法简介

3.1.2 本文去嵌入方法

3.1.3 完整去嵌模型的构建

3.1.4 模型验证及去嵌结果

3.2 经典小信号等效电路模型

3.3 改进的小信号等效电路模型

3.4 小信号模型的参数提取

3.5 模型验证与分析

3.6 本章小结

第四章 基于BSIM4模型的大信号建模研究

4.1 小信号模型研究

4.1.1 BSIM4小信号模型

4.1.2 模型验证与分析

4.2 直流模型研究

4.3 大信号模型研究

4.4 本章小结

第五章 全文工作总结与未来展望

5.1 全文工作总结

5.2 未来展望

致谢

参考文献

攻读硕士学位期间取得的成果