基于NDR特性的多值滞回电路的研究与设计

目录

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第1章 绪论

1.1 研究的目的及意义

1.2 国内外研究现状和发展趋势

1.3 本文研究内容

第2章 共振隧穿二极管RTD

2.1 共振隧穿二极管RTD概述

2.2 共振隧穿二极管RTD的特性曲线

2.3 共振隧穿二极管RTD的等效网络实现

2.3.1 MOS-NDR等效网络

2.3.2 R-HBT-NDR等效网络

2.4 RTD的多值特性

2.5 本章小结

第3章 NDR滞回特性单元电路分析与设计

3.1 RTD的滞回特性

3.2 二值NDR特性的RTD滞回单元电路

3.3 多值滞回单元电路分析和设计

3.3.1 多值滞回单元电路分析

3.3.2 基于MOS-NDR等效网络的多值滞回单元电路

3.3.3 基于R-HBT-NDR等效网络的多值滞回单元电路

3.4 本章小结

第4章 NDR滞回单元在多值忆阻器模型中的设计和应用

4.1 忆阻器概述

4.1.1 忆阻器

4.1.2 阈值型忆阻器

4.2 忆阻器和微分负阻器件相似性分析

4.3 MOS-NDR型多值忆阻器模型设计

4.4 R-HBT-NDR型多值忆阻器模型设计

4.5 改进型NDR多值忆阻器模型设计与实现

4.6 改进型多值忆阻器硬件电路实验测试及分析

4.7 本章小结

第5章 基于MOS-NDR型多值忆阻器的三值量化电路设计

5.1 量化器电路

5.2 基于MOS-NDR型忆阻器的三值量化电路设计

5.3改进型忆阻器的三值量化电路设计

5.4 本章小结

第6章 总结与展望

6.1 总结

6.2 展望

致谢

参考文献

附录：作者在读期间发表的学术论文及参加的科研项目