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公开/公告号CN205377816U
专利类型实用新型
公开/公告日2016-07-06
原文格式PDF
申请/专利权人 杭州电子科技大学;
申请/专利号CN201620019105.6
发明设计人 林弥;
申请日2016-01-08
分类号
代理机构浙江杭州金通专利事务所有限公司;
代理人王佳健
地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街
入库时间 2022-08-22 01:30:13
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-12-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K3/02 授权公告日:20160706 终止日期:20180108 申请日:20160108
专利权的终止
2016-07-06
授权
机译: 基于有机-无机混合卤化物钙钛矿的NDR器件和电路的负微分电阻
机译: 具有石墨烯通道的负微分电阻(NDR)装置的电路以及操作该电路的方法
机译:基于NDR特性的新型三价T触发器
机译:使用标准SiGe工艺制造的金属氧化物半导体场效应晶体管双极结晶体管负微分电阻电路的三值存储电路
机译:基于三(8-羟基喹啉)铝的有机器件中负微分电阻的起源和存储特性
机译:基于负微分电阻特性的逻辑电路综合
机译:晶体管电路中的负微分电阻(非线性,器件,化合物,SCR建模,电阻多端口)。
机译:基于开关触发器的ISFET预处理电路
机译:负阻特性负阻曲线示踪器的设计
机译:负阻元件引入的互耦输电线路的特性及其在隧道二极管脉冲电路中的应用