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基于微分负阻NDR特性的三值T触发器电路

摘要

本实用新型公开了一种基于微分负阻NDR特性的三值T触发器电路。本实用新型包括三值三轨输出结构的NDR文字(literal)电路、基于微分负阻NDR特性的与非运算单元、基于微分负阻NDR特性的或非运算单元以及基于微分负阻NDR特性的MOBILE反相器单元。微分负阻器件可以用共振隧穿二极管RTD实现,也可以由晶体管构成的MOS-NDR等效网络来模拟微分负阻NDR特性。本实用新型提供了一种全新的三值T触发器结构类型。

著录项

  • 公开/公告号CN205377816U

    专利类型实用新型

  • 公开/公告日2016-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州电子科技大学;

    申请/专利号CN201620019105.6

  • 发明设计人 林弥;

    申请日2016-01-08

  • 分类号

  • 代理机构浙江杭州金通专利事务所有限公司;

  • 代理人王佳健

  • 地址 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街

  • 入库时间 2022-08-22 01:30:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-25

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03K3/02 授权公告日:20160706 终止日期:20180108 申请日:20160108

    专利权的终止

  • 2016-07-06

    授权

    授权

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