第一章绪论
1.1 功率半导体器件概述
1.2 LIGBT器件概述
1.2.1 平面栅LIGBT的研究进展
1.2.2 沟槽栅LIGBT的研究进展
1.3 本文的主要工作与结构安排
第二章 SOI-LIGBT 器件的基本理论
2.1 SOI-LIGBT的基本结构与工作原理
2.2.1 阻断特性
2.2.2 正向导通特性
2.3 SOI-LIGBT的动态特性
2.3.1 开启特性
2.3.2 关断特性
2.4 本章小结
第三章 具有分裂栅的沟槽型SOI-LIGBT的设计与分析
3.1 传统的沟槽型SOI-LIGBT简介
3.2 TSG-LIGBT结构的设计与分析
3.2.1 TSG-LIGBT的基本结构和工作原理
3.2.2 TSG-LIGBT结构的性能仿真
3.2.3 TSG-LIGBT结构的工艺流程设计
3.2.4 TSG-LIGBT结构的版图设计
3.3 PTSG-LIGBT结构的设计与分析
3.3.1 PTSG-LIGBT 的基本结构和工作原理
3.3.2 PTSG-LIGBT 结构的性能仿真
3.4 本章小结
第四章 具有分裂栅的三维沟槽型SOI-LIGBT 的设计与分析
4.1 3d-TSGLIGBT的基本结构和工作原理
4.2.1 阈值电压仿真
4.2.2 阻断特性仿真
4.2.3 正向导通特性仿真
4.2.4 电容特性仿真
4.2.5 VCEON与EOFF折中特性仿真
4.2.6 关断特性仿真
4.3 本章小结
第五章总结与展望
5.1 全文总结
5.2 后续工作展望
致谢
参考文献
攻读硕士学位期间研究成果
电子科技大学;
