第1 章 绪 论
1.1 拓扑绝缘体简介
1.2 磁性拓扑绝缘体与量子反常霍尔效应
1.2.1 磁性掺杂拓扑绝缘体
1.2.2 本征磁性拓扑绝缘体
1.3 MnBi2nTe3n+1体系的晶体结构
第2 章 MnBi6Te10和MnBi8Te13单晶的制备方法及表征手段
2.1 MnBi6Te10和 MnBi8Te13单晶的制备方法
2.1.1 助熔剂法
2.1.2 实验细节
2.2 MnBi6Te10和 MnBi8Te13单晶的表征手段
2.2.1 X 射线衍射(XRD)
2.2.2 综合物性测量系统(PPMS)
2.2.3 磁学测量系统(MPMS)
2.3 角分辨光电子能谱仪(ARPES)
2.3.1 角分辨光电子能谱基本原理
2.3.2 角分辨光电子能谱仪的结构
2.3.3 实验细节
第 3 章 MnBi6Te10的物理性质研究
3.1 引言
3.2 MnBi6Te10的晶体结构
3.3 MnBi6Te10的磁学性质
3.3.1 磁化率随温度变化曲线测试
3.3.2 磁滞回线测试
3.4 MnBi6Te10的电学性质
3.5 MnBi6Te10的能带结构
3.5.1 不同端面沿(M-Γ-M)方向的能带截面图
3.5.2 不同能量下的等能面
3.6 本章小结
第4 章 MnBi8Te13的物理性质研究
4.1 引言
4.2 MnBi8Te13的晶体结构
4.3 MnBi8Te13的磁学性质
4.3.1 磁化率随温度变化曲线测试
4.3.2 磁滞回线测试
4.4 MnBi8Te13的电学性质
4.5 MnBi8Te13的能带结构
4.5.1 不同端面沿(M-Γ-M)方向的能带截面图
4.5.2 不同能量下的等能面
4.6 本章小结
结 论
参考文献
攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果
声明
致谢
附 录
哈尔滨工业大学;