基于C2N的二维异质结电子结构性质的调控研究

目录

声明

1 绪论

1.1 二维材料发展

1.1.1 石墨烯

1.1.2 常见的二维材料和基本特性

1.2 氮化碳的优异性能

1.3 半导体光催化分解水原理

1.4 光催化影响因素

1.4.1 光催化的外部影响因素

1.4.2 光催化的内部影响因素

1.5 光催化性能的改进措施

1.5.1 构建异质结

1.5.2 金属、非金属掺杂

1.5.3 染料光敏化

1.6 二维范德瓦尔斯异质结的研究背景

1.7 异质结的调控方式

1.8 本文的研究内容及安排

2 理论基础和计算方法

2.1 密度泛函理论（DFT）

2.1.1 Hohenberg-Kohn 定理

2.1.2 Kohn-Sham 方程

2.1.3 交换关联泛函

2.1.4 赝势方法

2.2 计算软件介绍

2.2.1 VASP 程序包简介

2.2.2 Materials Studio

3 C2N/α-Te异质结电子结构性质的研究

3.1 引言

3.2 计算方法

3.3 结果与讨论

3.3.1 几何结构和稳定性

3.3.2 C2N/α-Te 异质结的能带排列

3.3.3 垂直应力调控

3.3.4 电场效应

3.3.5 光学性质

3.4 本章小结

4 基于C2N/In2SSe（In2STe、In2SeTe）异质结光催化分解水研究

4.1 引言

4.2 计算方法

4.3 结果分析与讨论

4.3.1 C2N/In2SSe（In2STe、In2SeTe）异质结的电子性质

4.3.2 双轴应变对C2N/In2SSe（In2STe、In2SeTe）异质结电子性质的影响

4.3.3 双轴应变对C2N/In2SSe（In2SeTe）异质结带边位置的影响

4.3.4 双轴应变对C2N/In2SSe（In2SeTe）异质结光学性质的影响

4.4 本章小结

5 总结与展望

5.1 工作总结

5.2 工作展望

参考文献

个人简历与论文发表情况

致谢