声明
第1 章 绪论
1.1 MX2材料家族的多样性
1.2 MX2及其异质结构的新奇物理化学性质
1.2.1 层厚依赖的能带结构
1.2.2 强光-物相互作用
1.2.3 电荷密度波及超导特性
1.2.4 能带结构重整化和二维激子
1.2.5 II 型能带结构和界面激子效应
1.3 二维 MX2及其异质结构的制备方法
1.3.1 物理气相沉积法
1.3.2 化学气相沉积法
1.4 MX2及其异质结构的应用
1.5 选题目的与研究思路
第2 章 实验方法
2.1 实验药品及仪器设备
2.1.1 实验药品
2.1.2 实验所用仪器设备
2.2 样品测试及表征
2.2.1 X 射线衍射分析（XRD）
2.2.2 扫描电子显微镜（SEM）
2.2.3 透射电子显微镜（TEM）
2.2.4 X 射线光电子能谱（XPS）
2.2.5 拉曼光谱（Raman）
2.2.6 俄歇电子能谱（AES）
2.2.7 扫描隧道显微镜（STM）
2.3 材料电化学性能测试
2.3.1 电极片的制备
2.3.2 纽扣电池的组装
2.3.3 充放电测试
2.3.4 循环伏安测试
2.3.5 交流阻抗测试
2.3.6 活性材料充放电比容量
第3 章 VS2 NS@CNT 用于高性能锂离子电池负极的性能与机理研究
3.1 VS2 NS@CNT复合材料的 CVD生长
3.1.1 VS2 NS@CNT 复合材料的生长过程
3.1.2 VS2 NS@CNT 复合材料的生长机制
3.2 VS2 NS@CNT复合材料的基本表征
3.3 VS2 NS@CNT复合材料的电化学性能
3.3.1 循环伏安和充放电测试
3.3.2 不同扫速下的循环伏安测试
3.3.3 倍率性能测试
3.3.4 循环稳定性测试
3.3.5 阻抗测试
3.3.6 放电/充电循环后 VS2 NS@CNT 电极形貌表征
3.4 VS2 NS@CNT复合材料的电化学反应微观机制的原位观测
3.5 本章小结
第4 章 插层诱导合成Gr/PtSe2异质结及其界面耦合特性探究
4.1 金箔上两步 CVD法制备 Gr/PtSe2异质结构
4.1.1 金箔上生长单层 Gr 薄膜
4.1.2 Gr/Au 衬底上生长 PtSe2
4.1.3 生长温度对 PtSe2层厚和形貌的调控
4.1.4 PtSe2层厚的判定
4.2 Gr/PtSe2异质结构堆垛形态的验证
4.3 Gr/PtSe2异质结构的精细结构表征
4.4 Gr/PtSe2异质结构的表/界面性质探究
4.5 本章小结
第5 章 结论与展望
5.1 全文总结
5.2 展望
参考文献
个人简历及在学期间发表的学术论文与研究成果
致谢
郑州大学;
