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第一章前言
1.1离子束技术与计算机模拟
1.2 Si及SiC概述
1.3本论文的研究意义以及主要工作
第二章离子束与固体相互作用的基本现象及原理
2.1离子与固体相互作用的基本现象
2.1.1离子与固体表面相互作用的基本概念
2.1.2各种粒子的发射现象
2.1.3从靶上观察到的变化
2.2离子与固体相互作用的基本理论
2.2.1原子间相互作用势
2.2.2离子在靶中的射程分布
2.3本章小结
第三章离子束与固体相互作用的计算机模拟方法
3.1计算机模拟的基本思想和发展简介
3.2分子动力学MD(Molecular Dynamics)模拟
3.2.1分子动力学模拟原理
3.2.2数值积分方法
3.2.3边界条件以及时间步长
3.2.4样品的制备以及相关角度的定义
3.3蒙特卡诺模拟MC
3.3.1蒙特卡诺模拟简介
3.3.2随机数和随机变量的产生
3.3.3 SRIM程序简介
3.3.4样品的描述以及相关角度的定义
3.4本章小结
第四章离子束与Si表面相互作用的MD模拟
4.1模拟参数的设置
4.2垂直入射
4.2.1硅的溅射率
4.2.2 Ar+与硅表面的相互作用机制
4.2.3非晶化过程
4.3低角度入射
4.3.1离子的轨迹
4.3.2角度的变化情况
4.3.3势能的变化情况
4.3.4角度以及能量损失分布
4.4本章小结
第五章离子束与SiC表面相互作用的MC模拟
5.1模拟参数的设置
5.2入射离子的分布
5.2.1注入离子
5.2.2散射离子
5.3溅射率
5.3.1垂直入射
5.3.2不同角度入射
5.4溅射原子的角度及其能量分布
5.5本章小节
第六章结论
致谢
参考文献
附录
贵州大学;