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李民;
无;
碳化硅; 硅基体; 离子束合成; β-SiC;
机译:朝向无辐射极限的Si上离子束合成SiC
机译:离子束溅射在Si衬底上合成SiC薄膜
机译:Si(111)衬底上立方SiC层的离子束合成
机译:β-SiC的离子束合成在950℃和结构特征中
机译:AlN,4H-SiC,3C-SiC和ZrB2衬底上磷化硼的外延。
机译:由硅烷阴离子MeSiC4Ph4合成11-双(1-甲基/氯-2345-四苯基-1-硅环戊二烯基)Ph4C4Si(Me / Cl)-(Me / Cl)SiC4Ph4 −•Li +或Na +和Silole Dianion SiC4Ph4 2-•2 Li +;氯化亚铁(FeCl2)对硅阴离子MeSiC4Ph4-•Li +或Na +的氧化偶联和氯化铜(CuCl2)对硅阴离子SiC4Ph4 2-•2 Li +的氧化偶联和氯化处理
机译:含不同含量MgO的合成渣对耐火混凝土(Al2O3-SiC-SiO2-C)的基体润湿性评价含不同量MgO的合成渣对耐火浇注基体(Al2O3-SiC-SiO2-C)的润湿性评价
机译:通过离子束沉积将外延siC层生长到轴上和轴外6H-siC衬底上。
机译:单晶SiC基体,具有表观生长层的单晶SiC基体,SiC基体,碳供料基体和碳纳米材料的SiC基体
机译:制造SiC晶体以减少基体和SiC晶体,SiC单晶膜,SiC半导体元件,SiC单晶体基体和电子器件中的微管传播的方法以及制造SiC球体的方法
机译:SiC表皮基体制造装置,SiC表皮基体的制造方法以及SiC表皮基体
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