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摘要
第一章 绪论
1.1 集成电路发展概况
1.2 MOSFET面临的问题及应对策略
1.2.1 栅工程
1.2.2 沟道工程
1.2.3 源漏工程
1.2.4 特殊结构器件
1.2.5 高k栅介质
1.3 MOSFET未来的发展趋势
1.3.1 Ⅲ-Ⅴ簇/锗MOSFET
1.3.2 纳米线MOSFET
1.4 论文的主要内容和结构安排
第二章 MOSFET器件解析模型建模理论基础
2.1 抛物线模型
2.2 准二维模型
2.3 半解析模型
2.3.1 泊松方程及其边界条件
2.3.2 Ⅰ区电势求解
2.3.3 Ⅱ区电势的求解
2.3.4 求解待定系数
2.4 本章小结
第三章 单材料双功函数栅MOSFET表面势解析模型及特性分析
3.1 表面势模型及仿真
3.1.1 表面势解析模型
3.1.2 表面势验证与分析
3.2 阈值电压的计算与仿真
3.3 栅电容的计算与仿真
3.3.1 栅电容的计算
3.3.2 栅电容的特性
3.4 导通电阻特性
3.4.1 导通电阻的组成
3.4.2 导通电阻特性仿真
3.5 伏安特性
3.6 沟道内电场分布特性
3.7 本章小结
第四章 单材料双功函数轻掺杂漏MOSFET表面势解析模型及特性分析
4.1 单材料双功函数轻掺杂漏MOSFET器件结构及工艺
4.2 SMDWG LDD MOSFET器件表面势
4.2.1 表面势解析模型
4.2.2 表面势验证与分析
4.3 SMDWG LDD MOSFET器件特性仿真
4.3.1 电流输出特性
4.3.2 转移特性
4.3.3 栅漏电容特性
4.3.4 栅源电容特性
4.3.5 导通电阻
4.3.6 电场分布特性
4.4 本章小结
第五章 堆叠栅介质异质栅全耗尽SOI MOSFET表面势解析模型
5.1 表面势解析模型
5.2 表面势验证与分析
5.3 本章小结
第六章 结论和展望
6.1 结论
6.2 展望
参考文献
致谢
攻读博士学位期间发表的学术论文
安徽大学;