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隧穿场效应晶体管的刻蚀工艺与集成研究

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第一章 绪论

1.1课题的研究背景

1.2隧穿场效应晶体管的国内外研究现状

1.3本论文主要研究内容

1.4论文结构

第二章 隧穿场效应晶体管的研究基础

2.1隧穿场效应晶体管的简介

2.2隧穿场效应晶体管的工作原理

2.3新型TFET器件金属栅制备工艺简介

2.4 本章小结

第三章 隧穿场效应晶体管在电路中的衬底连通问题研究

3.1 衬底连通的漏电背景

3.2 建立仿真和仿真数据分析

3.2.1建立仿真

3.2.2 隔离方案原理

3.3 实验数据测试和分析

3.3.1 衬底漏电隔离的测试方案

3.3.2 测试结果和讨论

3.4 本章小结

第四章 基于微纳电子实验室平台的氮化钛的刻蚀工艺研究

4.1刻蚀工艺的简介

4.2氮化钛刻蚀工艺的探索

4.2.1 采用光刻胶作掩膜对氮化钛进行

4.2.2采用光刻胶刻蚀二氧化硅

4.2.3采用二氧化硅作为硬掩模刻蚀氮化钛

4.3本章小结

总结和展望

总结

展望

参考文献

攻读学位期间取得的学术成果

致谢

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著录项

  • 作者

    李婷;

  • 作者单位

    安徽大学;

  • 授予单位 安徽大学;
  • 学科 集成电路工程
  • 授予学位 硕士
  • 导师姓名 蔺智挺,黄芊芊;
  • 年度 2020
  • 页码
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 chi
  • 中图分类 TP2TN3;
  • 关键词

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