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平面光波导衰减器的研究及工艺开发

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第一章 绪 论

1.1 引言

1.2 光通讯发展

1.3 光衰减器概述

1.4 硅材料在集成光学中的发展和应用

1.5光衰减器的分类及发展现状

1.6 本文主要工作

第二章 平面光波导衰减器结构设计及关键工艺调试

2.1 平面光波导衰减器结构及工艺设计

2.2平面光波导衰减器关键工艺开发

2.3 本章小结

第三章 平面光波导衰减器的制作与分析

3.1 平面光波导衰减器的制作工艺流程

3.2 平面光波导光衰减器的制作工艺说明

3.3 本章小结

第四章 平面光波导衰减器性能测试

4.1平面光波导衰减器测试原理

4.2平面光波导衰减器性能分析

4.3 本章小结

第五章 总结与展望

5.1 本文的主要贡献

5.2 下一步工作的展望

致谢

参考文献

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摘要

随着宽带城域网(BMAN)的大力建设,DWDM(密集波分复用)技术的广泛使用,光通讯领域的重要应用前景和巨大的市场潜力变得清晰,具有对光信号的远程和实时调控的特性的电控可变光衰减器(EVOA),引起了广泛的重视。例如对于掺铒光纤放大器的增益谱的均衡和在WDM(波分复用技术)系统中减小信号光以降低误码率,可变光衰减器都具有重要的地位。
  本硕士论文对基于硅基微加工技术的电可调光衰减器的设计制作进行了研究,工作内容主要分为三个部分:
  1)通过对可变光衰减器不同设计结构优劣的研究,根据现有的设备情况,提出以定向耦合器(DC)加相位差调制结构的产品设计。
  2)在样品生产前,对感应耦合等离子体刻蚀、上包层硼磷硅玻璃沉积工艺、芯层掺锗二氧化硅沉积等关键工艺条件进行了研究,通过对影响工艺条件的关键参数进行反复试验,对结果进行比对,最终找到了满足设计工艺需求的最优工艺条件,使得产品的关键工艺参数能很好地满足设计要求,为样品的顺利制作打下了坚实基础。
  3)对测试结果进行分析。对造成样品失效的原因从工艺和设计两方面进行了深入的分析,并通过比对试验找到了影响器件性能的关键因素,通过对设计和工艺进的调整,产品主要性能参数,插入损耗控制小于1db,偏振相关损耗控制在0.6db,基本满足设计要求。

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