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AlGaN/GaN MIS-HEMT器件的沟道载流子输运特性研究

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第一章 绪论

1.1研究背景及意义

1.2研究进展

1.3本文研究内容及工作安排

第二章 AlGaN/GaN HEMT器件和制造工艺

2.1 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件工作原理

2.2 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件主要制造工艺

2.3本章小结

第三章 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件结构设计与制作

3.1 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件特性仿真研究

3.2 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件结构设计与制作

3.3本章小结

第四章 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件温度特性研究

4.1温度对MIS-HEMT器件特性影响的仿真分析

4.2低温对MIS-HEMT器件特性影响的实验研究

4.3高温对MIS-HEMT器件特性影响的实验研究

4.4本章小结

第五章 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件载流子输运特性研究

5.1温度对AlGaN/GaN MIS-HEMT器件载流子输运特性的影响

5.2 2DEG迁移率散射机制简介

5.3各散射机制对2DEG迁移率的贡献

5.4 AlGaN/GaN MIS-HEMT器件沟道载流子输运机制研究

5.5本章小结

第六章 总结与展望

参考文献

致谢

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