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基于SiGe BiCMOS高线性度超宽带低噪声放大器研究与设计

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第一章 绪论

1.1研究背景和意义

1.2国内外研究现状

1.3论文的工作重点

1.4论文章节安排

第二章 低噪声放大器理论基础

2.1 MOSFET特性研究

2.2 SiGe HBT特性研究

2.3射频信号传输基本理论

2.4电路噪声和线性度分析

2.5本章小结

第三章 高线性度超宽带低噪声放大器关键技术研究

3.1宽带阻抗匹配技术

3.2噪声优化技术

3.3线性度优化技术

3.4本章小结

第四章 高线性度超宽带低噪声放大器的设计实现

4.1采用导数叠加技术的cascode结构

4.2采用噪声相消技术的共射极电路结构

4.3两种电路前仿真结果对比分析

4.4本章小结

第五章 版图的设计与结果分析

5.1版图设计要点

5.2版图设计与后仿真结果分析

5.3本章小结

第六章 总结与展望

参考文献

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