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余艳梅;
西南交通大学;
非晶; 氧化; 膜的制备;
机译:施主诱导的非晶SrTiO3忆阻纳米器件的性能调谐:多态电阻开关和机械可调性
机译:透明氧化物半导体(Ti,Cu)O_x梯度薄膜的忆阻性能
机译:Nb / MgO / Bi / sub 2 / Sr / sub 2 / CaCu / sub 2 / O / sub x /隧道结的制备和性能,采用通过MBE方法生长的结晶和非晶MgO膜
机译:Ti / Al2O3 / Nb2O5 / Ti电阻开关的模拟忆阻和忆阻特性
机译:Zn-Ti-O三元和Zn-Ti-Zr-O四元纳米晶涂层的制备,结构及摩擦学性能关系。
机译:具有不同氧密度双层的非晶Ga-Sn-O薄膜器件的忆阻特性
机译:用TICUNIZR非晶钎焊填料填充金属制备TIBW / TI-6AL-4V TI基质复合关节的微观结构和力学性能分析
机译:strukturuntersuchung mittels Roentgen- und Neutronenbeugung a Binaeren amorphen(Co,Cu)-Ti-Legierungen(使用二元非晶(Co,Cu)Ti合金的X射线散射和中子散射的结构分析)
机译:氧化物的制备方法,非晶氧化物膜的沉积方法和非晶钽氧化物膜的沉积方法
机译:复合氧化物烧结体,非晶复合氧化物膜的制造方法,非晶复合氧化物膜和结晶复合氧化物膜的制造方法及结晶复合氧化物膜
机译:非晶复合氧化物膜,结晶复合氧化物膜,非晶复合氧化物膜的制造方法,结晶复合氧化物膜的制造方法以及复合氧化物烧结体
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