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新型低维纳米材料器件的量子输运性质研究

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目录

第一章 绪论

1.1 引言

1.2 低维纳米材料简介

1.2.1 零维纳米分子材料

1.2.2 一维纳米材料

1.2.3 二维纳米材料的发展和应用

1.2.4 二维异质结

1.2.5 纳米器件

1.3 本文概述

参考文献

第二章 理论基础和计算软件包介绍

2.1 多粒子体系薛定谔方程

2.1.1 Born-Oppenheimer 近似(绝热近似)

2.1.2 Hartree-Fock近似

2.2 密度泛函理论

2.2.1 Thomas-Fermi 模型

2.2.2 Hohenberg-Kohn定理

2.2.3 Kohn-Sham 定理

2.3 交换关联泛函

2.3.1 局域密度近似(LDA)

2.3.2 广义梯度近似(GGA)

2.3.3 定域轨道泛函(LDA/GGA+U)

2.3.4 杂化泛函密度理论

2.3.5 赝势近似计算

2.4 基函数

2.4.1平面波基组

2.4.2 LCAO基组

2.5 非平衡格林函数方法在二电极体系中的应用

2.5.1 屏蔽近似

2.5.2 用NEGF方法求解体系的电荷密度

2.5.3 电极自能求解

2.6 第一性原理计算软件包的介绍

参考文献

第三章 纳米带隧穿结输运性质

3.1 GeP3纳米带的电子结构

3.2 GeP3纳米带隧穿结模型和计算方法

3.3 GeP3纳米带隧穿结的输运特性

3.4 GeP3纳米带隧穿结的输运特性的调控

3.5 小结

参考文献

第四章 三角烯分子结的纯自旋流和热电输运性质

4.1 三角烯分子结模型

4.2 计算方法

4.3 三角烯分子结的电子输运性质

4.4 三角烯分子结中自旋相关的热电效应

4.5 三角烯分子结的声子热输运

4.6 小结

参考文献

第五章 二维层状KAgSe材料及其量子器件的性质

5.1 层状KAgSe的结构模型和计算方法

5.2 单层 KAgSe晶格结构的稳定性

5.3 单层 KAgSe的电子结构

5.4 光吸收和载流子迁移率

5.5 单层KAgSe纳米器件的光电流

5.6 小结

参考文献

第六章 新型二维硼化物横向异质结的性质

6.1 计算方法

6.2 二维硼化物横向异质结的原子结构和稳定性

6.3 二维硼化物横向异质结的电子结构

6.4 硼化物LHS的光吸收和载流子迁移率

6.5 硼化物LHS纳米器件中的光电流

6.6 小结

参考文献

第七章 总结与展望

攻读学位期间取得的研究成果

致谢

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承 诺 书

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