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张朋林;
河南大学;
氧化物; 薄膜晶体管; 制备; 电学;
机译:Ti摩尔比对溶液法制备的钛铟锌氧化物薄膜晶体管电学特性的影响
机译:10 K至400 K的铟锌氧化物薄膜晶体管电学特性的温度依赖性
机译:一种室温工艺,用于制造具有共溅射ZrxSi1-xO2栅极电介质并改善电学和磁滞性能的非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管
机译:甘油对氧化铟氧化铟氧化物透明电极氧化锌基薄膜晶体管的影响
机译:利用聚焦离子束制备非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管。
机译:氧分压对射频溅射制备铟钛锌氧化物薄膜晶体管特性的影响
机译:薄膜晶体管:通过氧化铟锡氧化铟锡和银纳米线的堆叠电极改进了金属氧化物薄膜晶体管的电荷注入(ADV。电子。Matter。4/2018)
机译:关于稳定有机自由基的制备和物理性质研究的最终报告
机译:PDMS--使用PDMS钝化层和铝铟锌氧化物半导体薄膜晶体管制造铝铟锌氧化物薄膜晶体管的方法
机译:利用该方法制造的PDMS钝化层和铝铟锌氧化物薄膜晶体管制造铝铟锌氧化物薄膜晶体管的方法
机译:含铟氧化物膜,含铟氧化物膜,薄膜晶体管,电子设备及成膜装置的制造方法
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