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基于PXIe总线的高速存储阵列设计与实现

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第一章 绪论

1.1课题背景

1.2国内外研究现状和发展态势

1.3论文主要内容

第二章 高速存储器的总体方案设计及可行性分析

2.2 PXI Express接口方案设计及可行性分析

2.3 NAND Flash阵列存储方案设计及可行性分析

2.4本章小结

第三章 PXI Express高速接口的逻辑设计

3.1 PCIe总线协议研究

3.2 PXIe协议的逻辑设计

3.3本章小结

第四章 NAND Flash阵列接口控制器的逻辑设计

4.1 NAND Flash阵列读写控制器设计

4.2坏块管理

4.3 ECC模块设计

4.4本章小结

第五章系统验证与分析

5.1系统测试平台搭建

5.2 PXI Express接口测试

5.3 NAND Flash阵列测试

5.4系统测试结果与分析

5.5本章小结

第六章 总结与展望

致谢

参考文献

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摘要

在无线电监测领域,检测和捕获瞬态信号是工作中的重点和难点,因而高带宽、大容量的实时存储器就扮演着非常重要的角色。本文设计中以实验室频谱仪中频数据存储为技术指标,存储介质采用NAND Flash,控制单元采用FPGA来实现。为了保证存储的带宽和容量需求,本文设计了一个4*4的存储阵列。为了方便存储数据可以回放到上层软件中进行分析,设计中采用了PXIe高速总线接口。
  本文主要研究了在FPGA中PXIe总线的高速数据传输协议的实现以及NAND Flash阵列控制器的设计与实现。在PXIe总线协议的实现过程中,详细介绍了PXIe协议中的PIO配置,DMA传输方式以及中断控制等模块功能的设计与实现;在NAND Flash阵列控制器的实现过程中,介绍了NAND Flash接口控制器和坏块管理模块以及ECC模块的设计与实现。本文通过对NAND Flash坏块产生原因进行了总结,采用了位检索坏块的存储方案来提高坏块映射表的存储速度;采用了滑动窗口的坏块查找方案来提高坏块查找速度;采用了滞后回写方案来改善突发坏块对读写速率的影响;采用了Hamming码中嵌入BCH码的方案来解决MLC型NAND Flash在使用过程中出现多位翻转的问题。为了验证基于PXIe总线的存储阵列的性能,做了两个实验,首先对各个模块进行了单独测试,测试结果表明:上层通过PXIe总线对存储器进行DMA读操作的速率可达12.5Gb/s,而且中断触发响应及时;NAND Flash阵列控制器工作在流水线方式时,测得NAND Flash的传输速率可达7.5Gb/s,各个模块的测试结果均满足设计需求。然后对整个存储器进行系统测试,系统采样时钟为204.8MHz,采样后数据位宽为32位,将数据写入到NAND Flash存储板后再读出到上位机软件进行分析,得出测试数据特征与下发数据特征相同,数据经比对后完全一致,说明本文设计达到预期要求。

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