摘要
ABSTRACT
第一章 引言
第二章 CMOS 器件物理效应
2.1 引言
2.2 阈值电压
2.2.1 垂直与横向不均匀浓度掺杂
2.2.2 短沟道和DIBL 效应
2.2.3 窄沟道效应
2.3 栅极直接隧穿电流
2.4 漏极电流
2.4.1 基极电荷效应
2.4.2 载流子迁移率和速度饱和
2.4.3 源漏寄生电阻
2.4.4 饱和区输出电导
2.5 基极电流
2.6 短沟道电容
2.7 STI 压应力效应
2.8 阱邻近效应
2.9 温度相依性
2.10 小结
第三章 PSP 模型
3.1 引言
3.2 本征模型
3.2.1 表面势
3.2.2 横向场梯度因子
3.2.3 漏极电流
3.2.4 内部电荷
3.3 外部模型
3.3.1 叠加区表面势
3.3.2 体电流
3.3.3 栅电流
3.3.4 外部电荷
3.4 噪声模型
3.5 结型二极管模型
3.6 PSP 模型的特点
3.7 小结
第四章 测试结构设计和数据测试
4.1 引言
4.2 器件测试结构设计
4.2.1 CMOS 器件尺寸与矩阵
4.2.2 CMOS 器件中的寄生电容
4.3 数据测试
4.3.1 测试条件和环境
4.3.2 测试数据的分类
4.4 小结
第五章 PSP 模型参数提取
5.1 引言
5.2 LOCAL 参数提取
5.2.1 交流参数提取
5.2.2 直流参数提取
5.2.3 温度参数提取
5.3 BINNING 参数提取
5.4 GLOBAL 参数提取
5.4.1 常规参数定义
5.4.2 GLOBAL 参数提取流程
5.5 PSP 模型和BSIM4 模型参数提取的比较
5.6 小结
第六章 总结和展望
参考文献
附录
致谢
攻读学位期间发表的学术论文