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目录
第一章 绪论
1.1 研究背景
1.2 总剂量效应研究现状
1.3 论文的主要工作及组织结构
第二章 总剂量效应分析
2.1 MOS 器件总剂量效应产生机理
2.2 总剂量效应对 MOS 器件的影响
2.3 总剂量效应影响因素分析
2.4 本章小结
第三章 Flash 存储器总剂量敏感性研究
3.1 Flash 存储器工作原理和组成结构
3.2 Flash 存储器内部各模块的总剂量敏感性分析
3.3 AM29LV160D 存储器的辐射敏感性
3.4 本章小结
第四章 Flash 存储器总剂量试验及结果分析
4.1 AM29LV160D 器件总剂量效应试验方案
4.2 AM29LV160D 总剂量效应试验系统介绍
4.3 AM29LV160D 器件总剂量效应试验程序
4.4 AM29LV160D 总剂量效应试验结果和分析
4.5 本章小结
第五章 总结与展望
致谢
参考文献