声明
第1章 绪论
1.1 GaN基绿光LED面临的主要问题及解决办法
1.1.1 极化电场增强
1.1.2 晶体质量的退化
1.1.3 大电流下的droop效应
1.2 GaN基LED中的V坑
1.2.1 V坑的简介
1.2.2 V坑的形成
1.2.3 V坑的作用
1.3 数值仿真
1.4 本论文的创新点
1.5 本论文的研究内容及行文安排
第2章 数值仿真软件及物理模型
2.1Silvaco TCAD软件简介
2.2 数值仿真基本方程及模型
2.2.1 基本方程
2.2.2 能隙模型
2.2.3 迁移率模型
2.2.4 半导体复合
2.2.5 极化效应
2.2.6 其它物理参量计算
2.3 本章小结
第3章 物理参数对数值仿真结果的影响
3.1 数值模型
3.2 SRH复合的影响：
3.3 带阶比的影响：
3.4 极化电荷系数的影响：
3.5 P型掺杂浓度的影响：
3.6 P型AlGaN的Al组分的影响
3.7 本章小结
第4章 氮化镓基绿光LED中V坑对空穴电流分布的影响
4.1 实验及数值模型
4.1.1 实验
4.1.2 数值模型
4.2 结果与讨论
4.3 本章小结
第5章 GaN基绿光LED中空穴阻挡层对V坑空穴注入和内量子效率的影响
5.1 数值模型
5.2 结果与讨论
5.3 本章小结
第6章 总结和展望
6.1 结论
6.2 展望
致谢
参考文献
攻读学位期间的研究成果
