声明
1 绪论
1.1 引言
1.2 忆阻器简介与应用
1.2.1 忆阻器简介
1.2.2 忆阻器应用
1.3 阻变材料机理
1.3.1 忆阻器阻变分类
1.3.2 忆阻器阻变机理
1.4 氧化钽忆阻器的研究概况
1.5 本文的研究意义与研究内容
2 忆阻器件制备方法与性能表征
2.1 忆阻器制备工艺
2.1.1 磁控溅射
2.1.2 光刻
2.2 薄膜性能表征
2.2.1 X射线衍射仪
2.2.2 原子力显微镜
2.2.3 透射电子显微镜
2.2.4 X射线光电子能谱分析
2.3 电学性能表征
2.4 本章小结
3 基于组分调制的氧化钽忆阻器件性能研究
3.1 引言
3.2 器件制备及其忆阻性能
3.2.1 器件制备
3.2.2 退火与基底加热对反应溅射阻变特性的影响
3.3 忆阻特性测试及其机制分析
3.3.1 忆阻特性测试
3.3.2 阻变机制分析
3.4 本章小结
4 基于氧浓度梯度的忆阻器件性能研究
4.1 引言
4.2 器件工艺制备与薄膜表征
4.3 忆阻特性测试与阻变机理分析
4.3.1 忆阻特性测试
4.3.2 阻变机理分析
4.4 本章小结
5 总结与展望
5.1 全文总结
5.2 课题展望
致谢
参考文献
附录1 攻读硕士学位期间发表的论文与专利
