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张秀芳;
浙江理工大学;
半导体材料; 硅; 锗; 晶片加工; 切割片; 损伤层;
机译:在盖硅/硅锗/硅(001)上进行硅化镍过程中外延硅锗层的应变弛豫和锗扩散
机译:从应变硅锗亚层的异质结构中逐层三维生长外延锗膜的转变研究
机译:硅上嵌入的外延硅锗层的注入损伤和应变松弛
机译:应变硅层厚度对薄缓冲层应变硅/硅锗异质结构中位错分布和硅锗弛豫的影响
机译:硅(1-x)锗(x)/硅和硅/锗应变层超晶格的光致发光研究。
机译:硅和锗对硅和锗的肖特基势垒高度的面依赖性
机译:薄锗层的锗硅异质结构的辐射硬度
机译:在单晶硅晶格中埋入多孔硅锗层
机译:制备硅锗层,包括在由单晶硅制成的具有表面的基板上沉积渐变的硅锗缓冲层,以及在硅锗缓冲层上沉积硅锗层。
机译:在硅层/硅锗层/硅层的层积结构中仅用离子注入法选择性地形成硅锗层的方法,而无需在顶层和底部层中形成图案,仅选择性地形成硅锗层
机译:可用于卫星和其他与空间有关的应用中的多结太阳能电池,包括基板,太阳能电池,锗硅锡缓冲层,锗硅锡背面场层和锗硅锡窗口层
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