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第一章绪论
1.1引言
1.2 ZnO材料的制备
1.2.1 ZnO体单晶的生长
1.2.2 ZnO薄膜的生长
1.2.3纳米ZnO材料的生长
1.3 ZnO材料的光电性能与应用
1.4本文研究内容
第二章ZnO的晶体结构及透射电子显微镜研究方法
2.1引言
2.2 ZnO的晶体结构
2.2.1 ZnO的纤锌矿结构
2.2.2 ZnO的闪锌矿结构
2.2.3 ZnO的立方岩盐结构
2.3透射电子显微镜研究方法
2.3.1透射电子显微镜基本原理
2.3.2衍衬成像
2.3.3高分辨电子显微术与图像模拟
2.3.4透射电子显微镜试样制备
2.3.5透射电子显微镜分析测试
第三章磁控溅射法生长硅基ZnO薄膜的显微结构
3.1引言
3.2硅基ZnO薄膜截面(Cross-section)的TEM分析
3.2.1 ZnO薄膜与硅界面的显微结构
3.2.2 ZnO薄膜柱状晶的显微结构
3.2.3 ZnO薄膜的原生层错与扩展位错
3.3硅基ZnO薄膜的X射线衍射
3.4硅基ZnO薄膜的生长机理
3.4.1 ZnO薄膜的择优生长机理
3.4.2 ZnO薄膜的原生层错形成机理
3.5硅基ZnO薄膜平面(Plan View)的TEM分析
3.5.1位错排列组成的小角度晶界
3.5.2沿{1-100}面的大角度晶界
3.5.3晶界两侧对称的大角度晶界
3.5.4对称大角度晶界的结构模型
3.6硅基ZnCdO薄膜的显微结构
3.7硅基ZnO薄膜的光学性质
3.8本章小结
第四章生长工艺对硅基ZnO薄膜显微结构的影响
4.1引言
4.2磁控溅射生长工艺对硅基ZnO薄膜显微结构的影响
4.2.1衬底温度对ZnO薄膜显微结构的影响
4.2.2溅射功率对ZnO薄膜显微结构的影响
4.2.3 硅基ZnO薄膜生长淘汰机理形成的择优取向
4.3生长工艺对硅基ZnO薄膜晶体质量的影响
4.4提高硅基ZnO薄膜晶体质量途径的思考
4.5本章小结
第五章退火处理对硅基ZnO薄膜显微结构的影响
5.1引言
5.2 600℃退火处理对硅基ZnO薄膜显微结构的影响
5.3 800℃退火处理对硅基ZnO薄膜显微结构的影响
5.4退火诱生缺陷的显微结构与形成机理
5.5退火处理对ZnO薄膜电学性能的影响
5.6 ZnO薄膜的退火模型
5.7本章小结
第六章MOCVD法生长ZnO纳米线的显微结构
6.1引言
6.2 ZnO纳米线的结构表征
6.2.1 ZnO纳米线SEM分析
6.2.2 ZnO纳米线截面TEM分析
6.2.3 ZnO纳米线在支承膜上TEM分析
6.3 ZnO纳米线的生长机理
6.4本章小结
第七章MOCVD法生长ZnO纳米管的显微结构
7.1引言
7.2 ZnO纳米管的结构表征
7.2.1 ZnO纳米管SEM分析
7.2.2 ZnO纳米管截面TEM分析
7.2.3 ZnO纳米管在支承膜上TEM分析
7.3 ZnO纳米管的生长机理
7.4本章小结
第八章总结
参考文献
攻读博士期间发表与完成的主要论文
致谢